看到这种情况，恐怕会有很多读者担心会不会重蹈DRAM的覆辙。也就是说，日本厂商尽管起步较早，但市场份额却被韩国厂商利用压倒性的产能夺走了，直至最后不得不撤出该领域。也就是说又将出现上世纪90年代日本厂商在DRAM市场上辛酸的一幕。

拿东芝来说吧，多值技术、微加工技术、高速接口，无论是哪一项，都比海力士高出一筹，可以说绝对会不输给对方。但这种情景与当年的DRAM是何等的相像。上世纪90年代，在DRAM生产方面，日本厂商在技术上并不输给韩国厂商。当时，日本厂商由于在微加工方面居于优势，因此并未把韩国厂商的巨额投资放在心上，认为不足为惧。但现实的发展却并非如此。日本厂商最终在韩国厂商的巨额投资面前纷纷倒下。

如今，日本厂商在DRAM技术方面毫无疑问仍处于世界平均水平之上。但在内存业务中却没有达到很大的规模效应。内存业务要求在高级技术上处于先端位置，同时还要求在产量的竞争上也不能输。

东芝改变大笔投资的方向

东芝在2005年8月9日召开的经营方针说明会上表示将扩大投资规模。此举表明了东芝要避免重蹈DRAM覆辙的信念。《日经市场调查》为了预测半导体的产能，都会定期对业界引进曝光设备的数量进行调查。东芝2005年的导入数量约为海力士的3倍。

顺便提一下，即使与欲在DRAM市场上夺取最大份额而持续进行投资的日本尔必达内存相比，东芝的投资规模也达到了后者的2倍左右。另外，东芝准备将超过一半的资金投向生产NAND型闪存EEPROM的四日市工厂（三重县）。希望利用这项投资，将其晶圆生产能力由目前相当于海力士的1/4左右提高至近1/2。东芝的另一个特点是300mm晶圆比例高于海力士。

而海力士则必须在维持DRAM市场份额的同时，提高NAN型闪存EEPROM的产能。由于韩国国内支持300mm晶圆的生产线主要负责DRAM产品的生产，因此利用300mm晶圆生产NAND型闪存EEPROM要等到在中国建设的生产线于2006年中期开工投产之后。作为海力士来说，绝不会为了单纯地超越东芝而增加NAND型闪存EEPROM的产能。

在内存用晶圆处理能力方面，三星远远超过东芝。即便东芝积极地持续投资，2～3年内也不可能赶上去。但在规模上却有可能赶上海力士，避免重蹈DRAM的覆辙。

文字by菊池